[发明专利]具有改进的选择性的二氧化硅蒸汽蚀刻

权利要求书

1.一种在处理室中从氮化硅（Si₃N₄）中选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）以便生产一种或多种微结构的方法，所述方法包括：

为所述处理室提供包含氟化氢（HF）的蚀刻蒸汽；以及

增加所述蚀刻蒸汽内的二氟化物反应物质（HF₂^-和H₂F₂）与一氟化物反应物质（F^-和HF）的比率。

2.如权利要求1所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中增加所述蚀刻蒸汽内的二氟化物反应物质（HF₂^-和H₂F₂）与一氟化物反应物质（F^-和HF）的所述比率的所述步骤包括为所述处理室提供非蚀刻剂气体。

3.如权利要求2所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述非蚀刻剂气体包括氢化合物气体。

4.如权利要求3所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述氢化合物包括选自包括氢气（H₂）、氨（NH₃）、甲烷（CH₄）、乙烷（C₂H₆）及其混合物的化合物的组的化合物。

5.如前述权利要求中任一项所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中增加所述蚀刻蒸汽内的二氟化物反应物质（HF₂^-和H₂F₂）与一氟化物反应物质（F^-和HF）的所述比率的所述步骤包括将蚀刻操作温度设定到20℃或以下。

6.如权利要求5所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述蚀刻操作温度被设定到10℃。

7.如前述权利要求中任一项所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述方法还包括为所述处理室提供催化剂。

8.如权利要求7所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述催化剂包括水（H₂O）蒸汽。

9.如前述权利要求中任一项所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述方法还包括通过控制从所述处理室向外的真空泵送速率来控制在所述处理室内的所述蚀刻蒸汽的量。

10.如前述权利要求中任一项所述的选择性地蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述方法还包括通过控制从所述处理室向外的真空泵送速率来控制在所述处理室内的非蚀刻剂气体的量。

11.如权利要求1-8中任一项所述的蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述方法包括使所述蚀刻蒸汽循环通过所述处理室。

12.如权利要求1-8中任一项所述的蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述方法包括使所述非蚀刻剂气体循环通过所述处理室。

13.如前述权利要求中任一项所述的蚀刻二氧化硅（SiO₂）的方法，其中所述方法包括提供覆盖所述二氧化硅的掩模，以便供所述二氧化硅的选择性蚀刻之用。