[发明专利]提高牺牲层蚀刻速率的方法及由该方法形成的器件

摘要

本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。

主权项

一种器件，包括：衬底，所述衬底具有贯穿所述衬底延伸的一个或更多个通孔，所述通孔填充有导电材料，所述导电材料电连接至所述衬底下方的一个或更多个层；壁，所述壁耦连至所述衬底并且在垂直于所述衬底的顶部表面的方向上延伸；顶，所述顶耦连至所述壁，使得所述壁、所述顶和所述衬底共同封闭空腔；悬臂结构体，所述悬臂结构体封闭于所述空腔内，可在所述空腔内移动，并耦连至所述导电材料，所述悬臂结构体包括多层结构体，所述多层结构体包括具有第一复合系数的材料的第一层和面对所述顶的第二层，所述第二层包含具有比所述第一复合系数低的第二复合系数的材料。