[发明专利]半导体激光器件

摘要

本发明提供了一种二分式GaN基半导体激光器件，具有在朝向第一发光区域的可饱和吸收区域内不太可能发生损坏的配置和结构。所述半导体激光器件包括第一发光区域（41A）、第二发光区域（41B）、夹在上述发光区域之间的可饱和吸收区域（42）、第一电极和第二电极。激光从其第二发光区域侧的端面发出。所述半导体激光器件具有脊状条纹结构。第二电极（62）由第一部分（62A）、第二部分（62B）和第三部分（62C）构成。满足1

主权项

一种半导体激光器件，包括：（a）层叠结构，其中，第一化合物半导体层、第三化合物半导体层和第二化合物半导体层依次层叠在一起，所述第一化合物半导体层具有第一导电类型并且由GaN基化合物半导体构成，所述第三化合物半导体层由GaN基化合物半导体构成，并且所述第三化合物半导体层构成第一发光区域、第二发光区域和夹在所述第一发光区域和所述第二发光区域之间的可饱和吸收区域，并且所述第二化合物半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型并且由GaN基化合物半导体构成；（b）第二电极，形成于所述第二化合物半导体层上；以及（c）第一电极，与所述第一化合物半导体层电连接，其中，所述层叠结构具有脊状条纹结构，所述第二电极由第一部分、第二部分和第三部分构成，所述第一部分通过经由所述第一发光区域对所述第一电极施加直流电而产生正向偏压状态，所述第二部分通过经由所述第二发光区域对所述第一电极施加直流电而产生正向偏压状态，并且所述第三部分对所述可饱和吸收区域施加电场，所述第二电极的所述第一部分与所述第二电极的所述第三部分通过第一分离槽分离，所述第二电极的所述第二部分与所述第二电极的所述第三部分通过第二分离槽分离，激光从所述半导体激光器件的所述第二发光区域侧的端面发出，并且满足1

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