[发明专利]半导体激光器件

权利要求书

1.一种半导体激光器件，包括：

（a）层叠结构，其中，第一化合物半导体层、第三化合物半导体层和第二化合物半导体层依次层叠在一起，

所述第一化合物半导体层具有第一导电类型并且由GaN基化合物半导体构成，

所述第三化合物半导体层由GaN基化合物半导体构成，并且所述第三化合物半导体层构成第一发光区域、第二发光区域和夹在所述第一发光区域和所述第二发光区域之间的可饱和吸收区域，并且

所述第二化合物半导体层具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型并且由GaN基化合物半导体构成；

（b）第二电极，形成于所述第二化合物半导体层上；以及

（c）第一电极，与所述第一化合物半导体层电连接，其中，

所述层叠结构具有脊状条纹结构，

所述第二电极由第一部分、第二部分和第三部分构成，所述第一部分通过经由所述第一发光区域对所述第一电极施加直流电而产生正向偏压状态，所述第二部分通过经由所述第二发光区域对所述第一电极施加直流电而产生正向偏压状态，并且所述第三部分对所述可饱和吸收区域施加电场，

所述第二电极的所述第一部分与所述第二电极的所述第三部分通过第一分离槽分离，

所述第二电极的所述第二部分与所述第二电极的所述第三部分通过第二分离槽分离，

激光从所述半导体激光器件的所述第二发光区域侧的端面发出，并且

满足1<W_2-ave/W_1-ave，其中，W_1-ave为所述第二电极的所述第一部分的具有脊状条纹结构的部分的平均宽度，W_2-ave为所述第二电极的所述第二部分的具有脊状条纹结构的部分的平均宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其中，满足1<W_2-ave/W_1-ave≤4.5。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体激光器件，其中，确定W_2-ave/W_1-ave的值以满足0.2≤I₁/I₂≤4.5，其中，I₁为所述可饱和吸收区域的与所述第三部分面向所述第二电极的所述第一部分的区域对应的部分的光强度，I₂为所述可饱和吸收区域的与所述第三部分面向所述第二电极的所述第二部分的区域对应的部分的光强度。