[发明专利]太阳能电池用薄膜形成装置及薄膜形成方法无效
| 申请号： | 201280005143.0 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103314432A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 加藤孝正;成岛正树;原谦一 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人山梨大学;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在被处理体的表面形成含有多种元素的薄膜的太阳能电池用薄膜形成方法中，利用电场使含有元素的原料溶液作为微粒飞散于处理空间，使飞散的上述微粒附着于被处理体的表面而形成薄膜。由此，即使在大气压气氛下也能够形成结晶性良好的光电转换元件用薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 薄膜 形成 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，是在被处理体的表面形成含有多种元素的薄膜的太阳能电池用薄膜形成方法，其中，利用电场使含有所述元素的原料溶液作为微粒飞散于处理空间，使该飞散的所述微粒附着于所述被处理体的表面而形成所述薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
