[发明专利]太阳能电池用薄膜形成装置及薄膜形成方法

权利要求书

1.一种太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，是在被处理体的表面形成含有多种元素的薄膜的太阳能电池用薄膜形成方法，

其中，利用电场使含有所述元素的原料溶液作为微粒飞散于处理空间，使该飞散的所述微粒附着于所述被处理体的表面而形成所述薄膜。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，加热所述被处理体。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜是结晶性的薄膜。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，通过使所述膜中的所述多种元素的原子比变不同而选择形成的所述薄膜的导电类型。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，在所述薄膜形成后，对所述被处理体进行控制了温度的退火处理而选择所述薄膜的导电类型。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，所述处理空间成为100kV/m以上的电场强度。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜是选自In_0.5Ga_0.5P、γ-In₂Se₃、In₂S₃、CuIn_1-XGa_XS、GaAs、CdTe、CuInS₂、CuIn_1-XGa_XSe、Cu₂ZnSnS₄中的1种薄膜。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜是CuInS₂，所述被处理体的温度在250～305℃的范围内，所述原料溶液中的原子比Cu/In在0.85～1.40的范围内。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜含有In和Se，所述被处理体的温度在235～280℃的范围内，所述原料溶液中的原子比Se/In为1以上。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜是In₂S₃，所述被处理体的成膜时的温度在275～350℃的范围内。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池用薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜是Cu₂ZnSnS₄，所述被处理体的成膜时的温度在340～380℃的范围内。

12.一种太阳能电池用薄膜形成装置，其特征在于，是在被处理体的表面形成含有多种元素的薄膜的太阳能电池用薄膜形成装置，具备：

原料溶液供给机构，向处理空间供给含有所述元素的原料溶液，

保持机构，保持所述被处理体，

加热机构，加热所述被处理体，以及

电场用电源机构，用于在所述保持机构与所述原料溶液供给机构之间施加电压，利用电场使所述原料溶液作为微粒飞散。

13.根据权利要求12所述的太阳能电池用薄膜形成装置，其特征在于，所述原料溶液供给机构具有暂时贮留所述原料溶液的头部，在所述头部设有具有溶液出口的喷嘴部。

14.根据权利要求12所述的太阳能电池用薄膜形成装置，其特征在于，在所述原料溶液中混合有所述多种元素。

15.根据权利要求13所述的太阳能电池用薄膜形成装置，其特征在于，所述原料溶液供给机构具有多个所述头部，向所述各头部供给含有所述多种元素内的各种不同元素的原料溶液。

16.根据权利要求13所述的太阳能电池用薄膜形成装置，其特征在于，所述原料溶液供给机构具有多个所述头部，为了改变形成的所述薄膜的导电类型而向所述各头部供给所述多种元素的原子比相互不同的原料溶液。

17.根据权利要求12所述的太阳能电池用薄膜形成装置，其特征在于，所述处理空间形成了100kV/m以上的电场强度。