[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法

摘要

提供一种非易失性半导体存储装置，具备减小了构成电阻变化元件的下部电极和电阻变化层之间的寄生电阻的电阻变化元件。该非易失性半导体存储装置具备：基板（201）；以及电阻变化元件（208），形成于基板（201）上；电阻变化元件（208）具有：下部电极层（202），形成于基板（201）上；电阻变化层（203），形成于下部电极层（202）上；以及上部电极层（204），形成于电阻变化层（203）上；下部电极层（202）至少包括：第1导电层（202a）；以及第2导电层（202c），形成于第1导电层（202a）上，与电阻变化层（203）相接；在第1导电层（202a）的上表面形成有第1导电层（202a）被氧化而成的层、即氧化变质层（202b）。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，是电阻变化型的非易失性半导体存储装置，具备：基板；以及电阻变化元件，形成于所述基板上，通过电脉冲的施加而电阻值变化，并持续保持变化后的电阻值；所述电阻变化元件具有：下部电极层，形成于所述基板上；电阻变化层，形成于所述下部电极层上，由金属氧化物构成；以及上部电极层，形成于所述电阻变化层上；所述下部电极层至少由第1导电层和形成于所述第1导电层上且与所述电阻变化层相接的第2导电层构成；在所述第1导电层的上表面形成有该第1导电层被氧化而成的层、即氧化变质层。