[发明专利]非易失性存储装置的制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储装置的制造方法，是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法，与适合于微小铜布线形成的双金属镶嵌工艺之间的匹配性、且能够实现大容量及高集成化，其包括：形成电阻变化元件、接触孔（106）以及布线槽（108a）的工序；以及，以覆盖布线槽（108a）且不覆盖接触孔（106）的底面的方式，在层间绝缘层（102）以及（112）以及电阻变化层（104）上形成双向二极管元件的电流控制层（111）的工序。

主权项

一种非易失性存储装置的制造方法，是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成多个条纹状的第一布线的工序；在上述多个第一布线上形成第一层间绝缘层的工序；形成贯通上述第一层间绝缘层并与上述第一布线连接的多个存储单元孔的工序；在上述存储单元孔中埋入电阻变化元件的至少一方的电极和电阻变化层的工序；在上述第一层间绝缘层上形成了第二层间绝缘层之后，形成贯通上述第一层间绝缘层以及上述第二层间绝缘层并与上述第一布线连接的接触孔的工序；形成贯通上述第二层间绝缘层并与上述接触孔以及上述电阻变化元件连接的上述布线槽的工序；以覆盖上述布线槽且不覆盖上述接触孔的底面的方式，在上述第一层间绝缘层、上述第二层间绝缘层以及上述电阻变化层上形成双向二极管元件的电流控制层的工序；以及在上述接触孔以及上述布线槽内，形成由成为上述双向二极管元件的上部电极的下层和由布线材料形成的上层构成的第二布线，由此形成与上述电阻变化元件连接的上述双向二极管元件和上述接触孔的接触插塞的工序。