[发明专利]非易失性存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置的制造方法，是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成多个条纹状的第一布线的工序；

在上述多个第一布线上形成第一层间绝缘层的工序；

形成贯通上述第一层间绝缘层并与上述第一布线连接的多个存储单元孔的工序；

在上述存储单元孔中埋入电阻变化元件的至少一方的电极和电阻变化层的工序；

在上述第一层间绝缘层上形成了第二层间绝缘层之后，形成贯通上述第一层间绝缘层以及上述第二层间绝缘层并与上述第一布线连接的接触孔的工序；

形成贯通上述第二层间绝缘层并与上述接触孔以及上述电阻变化元件连接的上述布线槽的工序；

以覆盖上述布线槽且不覆盖上述接触孔的底面的方式，在上述第一层间绝缘层、上述第二层间绝缘层以及上述电阻变化层上形成双向二极管元件的电流控制层的工序；以及

在上述接触孔以及上述布线槽内，形成由成为上述双向二极管元件的上部电极的下层和由布线材料形成的上层构成的第二布线，由此形成与上述电阻变化元件连接的上述双向二极管元件和上述接触孔的接触插塞的工序。

2.如权利要求1记载的非易失性存储装置的制造方法，其中，

在形成上述电流控制层的工序中，通过从与上述多个存储单元孔的排列方向平行、且相对于上述基板的表面倾斜的方向飞来成膜材料的溅射，来成膜上述电流控制层。

3.如权利要求2记载的非易失性存储装置的制造方法，其中，

设上述排列方向上的上述接触孔的开口大小为a，设上述排列方向上的从上述布线槽的开口的一端到离上述布线槽的开口的一端最近的上述存储单元孔的开口的位于上述布线槽的开口的一端侧的端为止的距离为e，设上述接触孔的高度为c，设上述布线槽的高度为d，

设上述a以及上述e是对在上述排列方向上排列的上述接触孔以及上述存储单元孔、以及包含它们的开口的上述布线槽，在同一方向的同一截面中测定的值，

使用上述a、上述c、上述d以及上述e将α以及γ定义为：

α＝tan^-1（c/a）

γ＝tan^-1（d/e），

此时，上述布线槽、上述接触孔以及上述全部存储单元孔形成为满足α＞γ的条件。

4.如权利要求3记载的非易失性存储装置的制造方法，其中，

上述接触孔，位于在上述排列方向上离上述布线槽的开口的一端最近的存储单元孔和上述布线槽的开口的一端之间，

设从上述接触孔的开口的位于与上述布线槽的开口的一端远离一侧的端到上述布线槽的开口的一端为止的距离为b，

设上述a以及上述b是对在上述排列方向上排列的上述接触孔以及上述存储单元孔、以及包含它们的开口的上述布线槽，在同一方向的同一截面中测定的值，

使用上述b、上述c以及上述d将β定义为：

β＝tan^-1｛（c＋d）/b｝，

此时，上述布线槽以及上述接触孔形成为满足β＞α的条件。

5.如权利要求3记载的非易失性存储装置的制造方法，其中，

上述成膜材料飞来的方向为，相对于上述基板的表面具有θ的角度、且与测定上述a以及上述e的截面的方向平行，

上述θ、上述α以及上述γ满足γ＜θ＜α的条件。

6.如权利要求4记载的非易失性存储装置的制造方法，其中，

上述成膜材料飞来的方向为，相对于上述基板的表面具有θ的角度、且与测定上述a、上述b以及上述e的截面的方向平行、且为从上述布线槽的开口的一端朝向上述接触孔的方向，

上述θ、上述α以及上述γ满足γ＜θ＜β的条件。

7.如权利要求2～6任一项记载的非易失性存储装置的制造方法，其中，

在从相对于上述基板的表面垂直的方向观察时，上述成膜材料飞来的方向是与上述多个存储单元孔的排列方向平行的方向。

8.如权利要求1～7任一项记载的非易失性存储装置的制造方法，其中，

上述布线槽形成有多个，

多个上述布线槽的延伸方向被统一为同一方向。