[发明专利]半导体层叠基板、半导体芯片和半导体层叠基板的制造方法

摘要

一种半导体层叠基板，半导体层叠基板具备：基板，和具有不同于基板的热膨胀系数、在基板的上表面的多个区域形成的多个半导体层。各区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴，具有不同的热膨胀系数。将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D1和ρ1。并且将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和ρ2时，D1、ρ1、D2和ρ2满足式1。

主权项

一种半导体层叠基板，其特征在于，包括：基板；和多个半导体层，所述半导体层具有与所述基板不同的热膨胀系数，形成于所述基板的上表面的多个区域，各所述区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与所述基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴具有不同的热膨胀系数，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D1和ρ1，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和ρ2时，D1、ρ1、D2和ρ2满足下述式1，式1 0.8 D 1 ≤ D 2 ρ 1 ρ 2 ≤ 1.2 D 1 .