[发明专利]半导体层叠基板、半导体芯片和半导体层叠基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体层叠基板，其特征在于，包括：

基板；和

多个半导体层，所述半导体层具有与所述基板不同的热膨胀系数，形成于所述基板的上表面的多个区域，

各所述区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与所述基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴具有不同的热膨胀系数，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D1和ρ1，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和ρ2时，D1、ρ1、D2和ρ2满足下述式1，

式10.8D1≤D2ρ1ρ2≤1.2D1.]]>

2.一种半导体层叠基板，其特征在于，包括：

基板；和

在所述基板的上表面的多个区域形成的多个半导体层，

各所述区域的半导体层具有作为非极性面或半极性面的生长面，沿着与所述基板的上表面平行、且相互垂直的第一轴和第二轴，与所述基板之间产生的应力不同，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第一轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D1和ρ1，将通过该半导体层的弯曲量最大的点、与所述第二轴平行的方向的该半导体层的长度和曲率半径设为D2和ρ2时，D1、ρ1、D2和ρ2满足下述式1，

式10.8D1≤D2ρ1ρ2≤1.2D1.]]>

3.如权利要求2所述的半导体层叠基板，其特征在于：

所述应力包括变形应力。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体层叠基板，其特征在于：

所述D1与所述D2不同，所述ρ1与ρ2不同。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体层叠基板，其特征在于：

所述D1与D2之比D1／D2基于下述式3规定，

式3D1D2=ρ1ρ2.]]>

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体层叠基板，其特征在于：

基于式4，所述D1由所述ρ1和所述半导体层的最大弯曲量H_max规定，

式4D1≈8Hmaxρ1.]]>