[发明专利]一种金属氧化物TFT器件及制造方法

摘要

本发明适用于电子器件技术领域，提供了一种金属氧化物TFT器件的制造方法，包括选取基板，在基板上制备栅极；在栅极上依次设置绝缘层、半导体层及光刻胶；以栅极为掩膜，自基板背部曝光，保留覆盖半导体层的沟道部分的光刻胶；向半导体层和光刻胶之上沉积电极层；剥离光刻胶及覆盖光刻胶的电极层，露出沟道；刻蚀电极层和半导体层，形成隔离的源漏极；沉积钝化层，将源漏极引出。本发明以栅极为掩膜，通过背部曝光及剥离光刻胶的方式实现自对准，工艺简单且对准精度高，减弱了寄生电容，提高了器件性能，且不需制作刻蚀阻挡层，简化了工艺，避免了刻蚀阻挡层对半导体沟道的不良影响，且掩膜板对准不再是关键的对准要求，降低了制造难度。

主权项

一种金属氧化物TFT器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：选取一基板，在所述基板之上制备栅极；在所述栅极之上依次设置绝缘层、半导体层及光刻胶；所述半导体层完整覆盖所述绝缘层；以所述栅极为掩膜，自所述基板的背部曝光、显影，所述光刻胶与所述栅极相对位的部分未被曝光，其他被曝光的部分被剥离，保留覆盖所述半导体层的沟道部分的光刻胶；向所述半导体层和保留的光刻胶之上沉积电极层；所述电极层只沉积于所述半导体层的上表面和所述保留的光刻胶的上表面；剥离去除所述保留的光刻胶及覆盖所述光刻胶的电极层，露出与所述栅极对准的沟道；通过一次刻蚀成型工艺刻蚀保留的电极层和半导体层，形成隔离的源极和漏极；向所述基板上沉积钝化层，并将所述源极和漏极引出至所述钝化层之外。