[发明专利]一种金属氧化物TFT器件及制造方法

权利要求书

1.一种金属氧化物TFT器件的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

选取一基板，在所述基板之上制备栅极；

在所述栅极之上依次设置绝缘层、半导体层及光刻胶；所述半导体层完整覆盖所述绝缘层；

以所述栅极为掩膜，自所述基板的背部曝光、显影，所述光刻胶与所述栅极相对位的部分未被曝光，其他被曝光的部分被剥离，保留覆盖所述半导体层的沟道部分的光刻胶；

向所述半导体层和保留的光刻胶之上沉积电极层；所述电极层只沉积于所述半导体层的上表面和所述保留的光刻胶的上表面；

剥离去除所述保留的光刻胶及覆盖所述光刻胶的电极层，露出与所述栅极对准的沟道；

通过一次刻蚀成型工艺刻蚀保留的电极层和半导体层，形成隔离的源极和漏极；

向所述基板上沉积钝化层，并将所述源极和漏极引出至所述钝化层之外。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在向所述半导体层和保留的光刻胶之上沉积电极层的步骤具体为：

先向所述半导体层和保留的光刻胶上沉积电极接触层；

再向所述电极接触层之上沉积电极层。

3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，将所述源极和漏极引出至所述钝化层之外的步骤具体为：

刻蚀所述钝化层，形成通向所述源极和漏极的过孔；

向所述过孔中沉积导电材料，形成导电引线，将所述源极和漏极引出。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述导电材料为透明导电材料。

5.一种金属氧化物TFT像素电路的制造方法，其特征在于，包括下述步骤：

选取一基板，在所述基板之上制备栅极、栅极引线和存储电容电极；

在所述栅极、栅极引线和存储电容电极之上依次设置绝缘层、半导体层及光刻胶；所述半导体层完整覆盖所述绝缘层；

以所述栅极、栅极引线和存储电容电极为掩膜，自所述基板的背部曝光、显影，所述光刻胶与所述栅极相对位的部分未被曝光，其他被曝光的部分被剥离，保留覆盖所述半导体层对应于所述栅极、栅极引线和存储电容电极部分的光刻胶；

向所述半导体层和保留的光刻胶之上沉积电极层；所述电极层只沉积于所述半导体层的上表面和所述保留的光刻胶的上表面；

剥离去除所述保留的光刻胶及覆盖所述光刻胶的电极层，露出与所述栅极、栅极引线和存储电容电极对准的部分；

通过一次刻蚀成型工艺刻蚀保留的电极层和半导体层，去除所述栅极引线和存储电容电极上方的电极层和半导体层，并在所述栅极的上方形成隔离的源极和漏极；

向所述基板上沉积钝化层，并将所述源极、漏极和栅极引线引出至所述钝化层之外。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在向所述半导体层和保留的光刻胶之上沉积电极层的步骤具体为：

先向所述半导体层和保留的光刻胶上沉积电极接触层；

再向所述电极接触层之上沉积电极层。

7.如权利要求5或6所述的制造方法，其特征在于，将所述源极、漏极和栅极引线引出至所述钝化层之外的步骤具体为：

刻蚀所述钝化层，形成通向所述源极、漏极和栅极引线的过孔；

向所述过孔中沉积导电材料，形成导电引线，将所述源极、漏极和栅极引线引出。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述导电材料为透明导电材料。

9.一种金属氧化物TFT器件，其特征在于，包括：

基板；

栅极和绝缘层，依次叠层设置于所述基板之上；

半导体层，设置于所述绝缘层之上；

源极和漏极，并排设置于所述半导体层之上，且所述源极和漏极的内侧边与所述栅极的两边对准；

钝化层，包封于所述基板设有栅极的一面；

所述源极和漏极通过导电材料引出至所述钝化层之外；

所述源极和漏极与所述栅极的重叠区域的宽度均小于2μm。

10.如权利要求9所述的金属氧化物TFT器件，其特征在于，在所述半导体层和所述源极与漏极之间还设有与源极和漏极对齐的电极接触层。

11.如权利要求9或10所述的金属氧化物TFT器件，其特征在于，所述钝化层具有通向所述源极和漏极的过孔，所述过孔中填充有将所述源极和漏极引出的导电材料。