[发明专利]显示装置、用于显示装置中的薄膜晶体管、及薄膜晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 201280001519.0 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN103003947A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 佐藤一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L51/50;H05B33/08;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具备显示元件、和控制该显示元件的发光的薄膜晶体管的显示装置中，薄膜晶体管具备：栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；栅极绝缘膜，其在基板上形成为覆盖栅电极；沟道层，其形成在栅极绝缘膜上；沟道保护层，其形成在沟道层的上表面；一对接触层，形成在沟道保护层的上表面，且与沟道层连接；和源电极及漏电极，分别与一对接触层连接，一对接触层具有与沟道层的侧面相接的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 用于 中的 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置，其具备显示元件、和控制所述显示元件的发光的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管具备：栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；栅极绝缘膜，其在所述基板上形成为覆盖所述栅电极；沟道层，其形成在所述栅极绝缘膜上；沟道保护层，其形成在所述沟道层的上表面；一对接触层，形成在所述沟道保护层的上表面，且与所述沟道层连接；和源电极及漏电极，分别与一对所述接触层连接，一对所述接触层具有与所述沟道层的侧面相接的界面。
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