[发明专利]显示装置、用于显示装置中的薄膜晶体管、及薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，其具备显示元件、和控制所述显示元件的发光的薄膜晶体管，其中，

所述薄膜晶体管具备：

栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；

栅极绝缘膜，其在所述基板上形成为覆盖所述栅电极；

沟道层，其形成在所述栅极绝缘膜上；

沟道保护层，其形成在所述沟道层的上表面；

一对接触层，形成在所述沟道保护层的上表面，且与所述沟道层连接；和

源电极及漏电极，分别与一对所述接触层连接，

一对所述接触层具有与所述沟道层的侧面相接的界面。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述沟道保护层以与所述沟道层相同的形状形成。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

若将所述源电极与所述漏电极之间的距离设为Lch，将栅电极的长度设为Lgm、将所述沟道层的长度设为Lsi，则

Lch＜Lsi＜Lgm。

4.一种薄膜晶体管，其用于显示装置中，该薄膜晶体管具备：

栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；

栅极绝缘膜，其在所述基板上形成为覆盖所述栅电极；

沟道层，其形成在所述栅极绝缘膜上；

沟道保护层，其形成在所述沟道层的上表面；

一对接触层，形成在所述沟道保护层的上表面，且与所述沟道层连接；和

源电极及漏电极，分别与一对所述接触层连接，

一对所述接触层具有与所述沟道层的侧面相接的界面。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，

所述沟道保护层以与所述沟道层相同的形状形成。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，

若将所述源电极与所述漏电极之间的距离设为Lch，将栅电极的长度设为Lgm、将所述沟道层的长度设为Lsi，则

Lch＜Lsi＜Lgm。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，薄膜晶体管具备：栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；栅极绝缘膜，其在所述基板上形成为覆盖所述栅电极；沟道层，其形成在所述栅极绝缘膜上；沟道保护层，其形成在所述沟道层的上表面；一对接触层，形成在所述沟道保护层的上表面，且与所述沟道层连接；和源电极及漏电极，分别与一对所述接触层连接，一对所述接触层具有与所述沟道层的侧面相接的界面，在该薄膜晶体管的制造方法中，

以同一光掩模对所述沟道层和所述沟道保护层进行图案化来进行蚀刻，

之后，形成一对所述接触层。

8.一种薄膜晶体管的制造方法，薄膜晶体管具备：栅电极，其形成在绝缘性支撑基板上；栅极绝缘膜，其在所述基板上形成为覆盖所述栅电极；沟道层，其形成在所述栅极绝缘膜上；沟道保护层，其形成在所述沟道层的上表面；一对接触层，形成在所述沟道保护层的上表面，且与所述沟道层连接；和源电极及漏电极，分别与一对所述接触层连接，一对所述接触层具有与所述沟道层的侧面相接的界面，在该薄膜晶体管的制造方法中，

在绝缘性支撑基板上形成薄膜晶体管用的栅电极、和蓄积电容部用的栅电极之后，

按照覆盖所述栅电极的方式，在所述基板上形成栅极绝缘膜、沟道层和沟道保护层，

以同一光掩模对所述沟道层和所述沟道保护层进行图案化来进行蚀刻，并且除去蓄积电容部的所述沟道层、和所述沟道保护层，

之后，形成一对所述接触层，并且形成分别与一对所述接触层连接的薄膜晶体管的源电极及漏电极、和蓄积电容部的电极。