[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法有效
| 申请号： | 201280000715.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103124805B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 林毅斌,林森 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 制造 方法 薄膜 形成 | ||
【主权项】：
一种溅射靶材，包括：氧化物半导体材料，该氧化物半导体材料具有c轴的方向平行于所述氧化物半导体材料的上表面的法向矢量的结晶性，其中所述溅射靶材的平行于该溅射靶材的上表面的各个面包括所述c轴的所述方向平行于所述上表面的法向矢量的结晶区域，并且其中所述氧化物半导体材料含有In、Ga及Zn。
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