[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法

权利要求书

1.一种溅射靶材，包括：

氧化物半导体材料，该氧化物半导体材料具有c轴的方向平行于所述氧化物半导体材料的上表面的法向矢量的结晶性。

2.根据权利要求1所述的溅射靶材，其中所述氧化物半导体材料为多晶。

3.根据权利要求1所述的溅射靶材，其中所述氧化物半导体材料为单晶。

4.根据权利要求1所述的溅射靶材，其中所述氧化物半导体材料含有In、Zn以及Sn、Hf、Al、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu中的一种。

5.根据权利要求1所述的溅射靶材，其中所述氧化物半导体材料含有In、Ga及Zn。

6.根据权利要求1所述的溅射靶材，其中所述溅射靶材的结晶状态为c轴取向结晶氧化物半导体（CAAC-OS）的结晶状态。

7.根据权利要求1所述的溅射靶材，其中所述溅射靶材的平行于该溅射靶材的上表面的各个面包括高比例的c轴的方向平行于所述上表面的法向矢量的结晶区域。

8.一种溅射靶材的制造方法，包括如下工序：

通过混合InO_x原料、MO_Y原料及ZnO_Z原料形成混合材料，其中M为Ga、Sn、Hf、Al、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和 Lu中的一种；

通过对所述混合材料进行第一烘焙然后将所述混合材料粉碎来形成In-M-Zn-O化合物粉末；

将所述In-M-Zn-O化合物粉末的一部分摊铺到模具中；

通过对摊铺到所述模具中的所述In-M-Zn-O化合物粉末的所述一部分进行第二烘焙及第一加压处理来形成化合物膜；以及

通过在将所述In-M-Zn-O化合物粉末的另一部分摊铺到所述模具中的所述化合物膜上进行成形之后进行第三烘焙及第二加压处理来增加所述化合物膜的厚度。

9.根据权利要求8所述的溅射靶材的制造方法，其中将所述In-M-Zn-O化合物粉末与水、分散剂及粘合剂混合，并且将所述In-M-Zn-O化合物粉末作为浆料摊铺到所述模具中。

10.根据权利要求8所述的溅射靶材的制造方法，其中通过反复进行增加所述化合物膜的厚度的所述工序直到所述厚度达到2mm与20mm之间的厚度来形成板状化合物。

11.根据权利要求8所述的溅射靶材的制造方法，其中通过反复进行增加所述化合物膜的厚度的所述工序直到所述厚度达到2mm与20mm之间的厚度来形成板状化合物，并且所述方法还包括：将所述板状化合物附着于垫板。

12.根据权利要求8所述的溅射靶材的制造方法，其中所述InO_x原料、所述MO_Y原料及所述ZnO_Z原料以预定比率混合，所述预定比率为摩尔数比为2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3或3:1:2，并且M为Sn、Hf、Al、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种。

13.根据权利要求8所述的溅射靶材的制造方法，其中所述InO_x原料、所述MO_Y原料及所述ZnO_Z原料以预定比率混合，所述预定比率为摩尔数比为2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3或3:1:2，并且M为Ga。

14.根据权利要求10所述的溅射靶材的制造方法，其中在1000℃以上且1500℃以下的温度下对所述板状化合物进行烘焙。

15.根据权利要求11所述的溅射靶材的制造方法，其中在附着于所述垫板之前在1000℃以上且1500℃以下的温度下对所述板状化合物进行烘焙。

16.根据权利要求8所述的溅射靶材的制造方法，其中先在第一气氛中然后在第二气氛中进行所述第一烘焙，所述第一气氛为惰性气氛或减压气氛，并且所述第二气氛为氧化气氛。