[实用新型]一种IGBT并联功率单元结构布局

摘要

一种IGBT并联功率单元结构布局，IGBT功率单元的IGBT适配板（10）覆盖于IGBT模块（11）上面,与IGBT模块（11）焊接成一体，紧贴在水冷板（15）表面的下部。多个IGBT模块（11）和多个IGBT适配板（10）一一对应，并列布置。每个IGBT模块（11）的交流侧连接交流引出排（5），每个IGBT模块（11）的直流侧接直流母排（18）。并联驱动板（7）位于IGBT模块（11）的上部，通过铜柱（2）固定在水冷板（15）上。直流滤波电容组件（17）位于直流母排（18）的下方，固定在水冷板（15）上。缓冲吸收电容（1）直流侧出口端IGBT模块（11）的直流侧出口端。

主权项

一种IGBT并联功率单元结构布局，其特征在于，所述的IGBT并联功率单元包括多个IGBT模块（11），多个缓冲吸收电容（1），多个IGBT适配板（10），一块水冷板（15），一个并联驱动板（7），直流滤波电容组件（17），直流母排（18），以及交流引出排（5）；所述的IGBT并联功率单元的结构布局如下：IGBT适配板（10）覆盖于IGBT模块（11）上面,与IGBT模块（11）焊接成一体，紧贴在水冷板（15）表面的下部；多个IGBT模块（11）和多个IGBT适配板（10）一一对应，并列布置；每个IGBT模块（11）的交流侧连接交流引出排（5），每个IGBT模块（11）的直流侧接直流母排（18）；并联驱动板（7）位于IGBT模块（11）的上部，通过铜柱（2）固定在水冷板（15）上；直流滤波电容组件（17）位于直流母排（18）的下方，固定在水冷板（15）上；缓冲吸收电容（1）紧贴在IGBT模块（11）的直流侧出口端。