[实用新型]TFT阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201220717759.8 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN202948925U | 公开（公告）日： | 2013-05-22 |
| 发明（设计）人： | 薛艳娜;王磊;薛海林;郭建 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种TFT阵列基板及显示装置，涉及显示领域，能够减少构图工艺次数，降低阵列基板的制作成本。本实用新型的TFT阵列基板，包括：设置在基板上的包括栅极的图案，栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，还包括：通过一次构图工艺形成的位于所述栅绝缘层图案上的第一过孔以及位于所述包括有源层的图案上的第二过孔；所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合，均位于所述栅极走线的上方。本实用新型的显示装置包括阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，包括设置在基板上的包括栅极的图案，栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其特征在于，还包括：通过一次构图工艺形成的位于所述栅绝缘层图案上的第一过孔以及位于所述包括有源层的图案上的第二过孔；所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线，所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合，均位于所述栅极走线的上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司，未经北京京东方光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220717759.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
