[实用新型]TFT阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201220717759.8 申请日: 2012-12-21
公开(公告)号: CN202948925U 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: 薛艳娜;王磊;薛海林;郭建 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1362
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: tft 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种TFT阵列基板,包括设置在基板上的包括栅极的图案,栅绝缘层图案,包括有源层的图案,包括源漏电极的图案,包括第一电极的图案,其特征在于,还包括:

通过一次构图工艺形成的位于所述栅绝缘层图案上的第一过孔以及位于所述包括有源层的图案上的第二过孔;所述包括栅极的图案至少包括栅极和栅极走线,所述第一过孔与所述第二过孔对应位置相重合,均位于所述栅极走线的上方。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述包括有源层的图案位于所述栅极、所述栅绝缘层的第一过孔周边区域的上方以及所述源漏电极的下方。

3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,还包括:钝化层图案和包括第二电极的图案。

4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述包括源漏电极的图案至少包括源漏电极以及覆盖所述第一过孔和所述第二过孔的连接金属层。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述钝化层图案包括钝化层过孔。

6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述包括第二电极的图案至少包括第二电极以及覆盖所述钝化层过孔的连接电极。

7.根据权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述包括第一电极的图案和所述包括第二电极的图案同层设置,所述包括第一电极的图案包含多个第一条形电极,所述包括第二电极的图案包含多个第二条形电极,所述第一条形电极和所述第二条形电极间隔设置。

8.根据权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述包括第一电极的图案和所述包括第二电极的图案异层设置,其中位于上层的电极图案包含多个条形电极,位于下层的电极图案包含多个条形电极或为平板形。

9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~8任一项所述的阵列基板。

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