[实用新型]一种晶体管及晶体管的散热装置有效
| 申请号： | 201220704433.1 | 申请日： | 2012-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN203118955U | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王大朋;赵志勇;曾武;穆学禄;宗柏青;崔亦军 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/38 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 王磊;龙洪 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种晶体管及晶体管的散热装置，包括：半导体生长基底、晶体管工作部件和半导体热电效应装置，半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属薄膜、金属层、导热层、热电偶导热装置、供电臂和散热层，晶体管工作部件生长在半导体生长基底的一表面上，半导体化合物层生长在半导体生长基底的与生长晶体管工作部件的表面相对的表面上，金属薄膜生长在半导体化合物层上，金属层生长在金属薄膜上，导热层生长在金属层上，热电偶导热装置和供电臂相连接，均生长在导热层上，散热层生长在热电偶导热装置的远离导热层的表面上。本实用新型能够将晶体管的热快速导出并散发出去，能够显著的提高功放管及其周围器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 散热 装置 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：半导体生长基底、晶体管工作部件和半导体热电效应装置，所述半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属薄膜、金属层、导热层、热电偶导热装置、供电臂和散热层，所述晶体管工作部件生长在所述半导体生长基底的一表面上，所述半导体化合物层生长在所述半导体生长基底的与生长所述晶体管工作部件的表面相对的表面上，所述金属薄膜生长在所述半导体化合物层上，所述金属层生长在所述金属薄膜上，所述导热层生长在所述金属层上，所述热电偶导热装置和供电臂相连接，均生长在所述导热层上，所述散热层生长在所述热电偶导热装置的远离所述导热层的表面上。
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