[实用新型]一种晶体管及晶体管的散热装置

权利要求书

1.一种晶体管，包括：半导体生长基底、晶体管工作部件和半导体热电效应装置，所述半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属薄膜、金属层、导热层、热电偶导热装置、供电臂和散热层，所述晶体管工作部件生长在所述半导体生长基底的一表面上，所述半导体化合物层生长在所述半导体生长基底的与生长所述晶体管工作部件的表面相对的表面上，所述金属薄膜生长在所述半导体化合物层上，所述金属层生长在所述金属薄膜上，所述导热层生长在所述金属层上，所述热电偶导热装置和供电臂相连接，均生长在所述导热层上，所述散热层生长在所述热电偶导热装置的远离所述导热层的表面上。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述热电偶导热装置包含成组的N型热电偶和P型热电偶，在所述金属层的远离所述金属薄膜的表面上还设置有多条依次排列的热电偶生长沟道，所述热电偶生长沟道的开口远离所述金属薄膜，所述热电偶生长沟道的底部生长所述导热层，所述热电偶生长沟道底部的所述导热层上沿所述热电偶生长沟道生长多组所述N型热电偶和P型热电偶，每组中的N型热电偶和P型热电偶电连接，相邻组中的N型热电偶与P型热电偶电连接。

3.如权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述热电偶导热装置还包括第一供电电极和第二供电电极，所述第一供电电极生长在所述热电偶生长沟道中的导热层上相邻组的N型热电偶与P型热电偶的顶部及之间的位置上，电连接相邻组中的N型热电偶与P型热电偶；所述第二供电电极生长在每组N型热电偶与P型热电偶的底部及之间的位置上，电连接每组中的N型热电偶和P型热电偶。

4.如权利要求2或3所述的晶体管，其特征在于，所述供电臂包含第一供电臂和第二供电臂，在所述金属层上所述热电偶生长沟道的一端侧设置有与所述热电偶生长沟道贯通的第一供电臂生长沟道，在所述金属层上所述热电偶生长沟道的另一端侧设置有与所述热电偶生长沟道贯通的第二供电臂生长沟道，所述第一供电臂生长在所述第一供电臂生长沟道上的导热层上，所述第二供电臂生长在所述第二供电臂生长沟道上的导热层上，所述第一供电臂与每个热电偶生长沟道一端的N型热电偶电连接，所述第二供电臂与每个热电偶生长沟道另一端的P型热电偶电连接。

5.如权利要求4所述的晶体管，其特征在于，所述热电偶导热装置还包括温度检测点，所述温度检测点生长在所述第一供电臂生长沟道上的导热层上，或生长在所述第二供电臂生长沟道上的导热层上。

6.如权利要求2或3所述的晶体管，其特征在于，所述散热层生长在所述热电偶导热装置的N型热电偶和P型热电偶的远离所述导热层的表面上，所述热电偶生长沟道的侧壁的远离所述金属薄膜的表面与所述散热层的远离所述N型热电偶和P型热电偶的表面平齐。

7.一种晶体管的散热结构，包括：印刷电路板、散热齿基板和晶体管，所述印刷电路板贴装在所述散热齿基板上，所述晶体管与所述印刷电路板连接，所述晶体管包括半导体生长基底、晶体管工作部件和半导体热电效应装置，所述半导体热电效应装置包含半导体化合物层、金属薄膜、金属层、导热层、热电偶导热装置、供电臂和散热层，所述晶体管工作部件生长在所述半导体生长基底的一表面上，所述半导体化合物层生长在所述半导体生长基底的与生长所述晶体管工作部件的表面相对的表面上，所述金属薄膜生长在所述半导体化合物层上，所述金属层生长在所述金属薄膜上，所述导热层生长在所述金属层上，所述热电偶导热装置和供电臂连接，均生长在所述导热层上，所述散热层生长在所述热电偶导热装置的远离所述导热层的表面上，所述晶体管的金属层与所述散热齿基板焊接，所述散热层与所述散热齿基板接触。

8.如权利要求7所述的晶体管的散热结构，其特征在于，所述热电偶导热装置包含成组的N型热电偶和P型热电偶，在所述金属层的远离所述半导体化合物层的表面上还设置有多条依次排列热电偶生长沟道，所述热电偶生长沟道的开口远离所述金属薄膜，所述热电偶生长沟道的底部生长所述导热层，所述热电偶生长沟道底部的所述导热层上沿所述热电偶生长沟道生长多组所述N型热电偶和P型热电偶，每组中的N型热电偶和P型热电偶电连接，相邻组中的N型热电偶与P型热电偶电连接。