[实用新型]一种半导体探测器有效
申请号: | 201220690685.3 | 申请日: | 2012-12-12 |
公开(公告)号: | CN203165903U | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 皮智华;周武;兰叶 | 申请(专利权)人: | 华灿光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/08 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 430223 湖北省*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体探测器,属于半导体技术领域。所述探测器包括衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层和不掺杂的氮化镓层、以及设于所述不掺杂的氮化镓层上的两个电极,所述不掺杂的氮化镓层上设有金属纳米颗粒层,所述金属纳米颗粒层上的金属纳米颗粒间隔分布。本实用新型通过在半导体层的不掺杂的氮化镓层上设置金属纳米颗粒层,当探测器在工作时,入射光照射在半导体层上的金属纳米颗粒层上,激发了金属的表面等离子体,与入射光发生共振反应,从而增强了光的散射效应,使得电子空穴对的复合效率得到了极大的提高,进而提高了探测光的探测性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 探测器 | ||
【主权项】:
一种半导体探测器,所述探测器包括衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层和不掺杂的氮化镓层、以及设于所述不掺杂的氮化镓层上的两个电极,其特征在于,所述不掺杂的氮化镓层上设有金属纳米颗粒层,所述金属纳米颗粒层中的金属纳米颗粒间隔分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的