[实用新型]一种半导体探测器有效
| 申请号： | 201220690685.3 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN203165903U | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 皮智华;周武;兰叶 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/08 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体探测器，所述探测器包括衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层和不掺杂的氮化镓层、以及设于所述不掺杂的氮化镓层上的两个电极，其特征在于，所述不掺杂的氮化镓层上设有金属纳米颗粒层，所述金属纳米颗粒层中的金属纳米颗粒间隔分布。
2.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述金属纳米颗粒为铝金属纳米颗粒。
3.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述电极为镍/金金属焊盘。
4.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述缓冲层为氮化镓缓冲层。
5.根据权利要求1所述的探测器，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220690685.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光伏组件夹紧机构
- 下一篇：塑封式整流桥
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
