[实用新型]恒流MOSFET电路有效
| 申请号： | 201220644674.1 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN202930012U | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 伍强;杨伟茂 | 申请（专利权）人： | 四川长虹光电有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/36 | 分类号： | G09G3/36 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 刘世平 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及LED背光驱动电路。本实用新型所要解决的技术问题是提供将MOSFET管漏极电压控制在安全范围内的恒流MOSFET电路。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：恒流MOSFET电路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，还包括稳压二极管；所述稳压二极管的负极与恒流MOSFET的漏极相连，其正极接地；稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压。本实用新型的有益效果是：将恒流MOSFET漏极电压控制在安全范围内，保证恒流MOSFET在PWM调光过程中不被击穿损坏，成本低、实施简便、性能可靠，适用于LED液晶模组中。 | ||
| 搜索关键词： | 恒流 mosfet 电路 | ||
【主权项】：
恒流MOSFET电路，包括恒流控制芯片和恒流MOSFET，其特征在于，还包括稳压二极管；所述稳压二极管的负极与恒流MOSFET的漏极相连，其正极接地；稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压。
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