[实用新型]恒流MOSFET电路有效

专利信息
申请号: 201220644674.1 申请日: 2012-11-29
公开(公告)号: CN202930012U 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 伍强;杨伟茂 申请(专利权)人: 四川长虹光电有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 代理人: 刘世平
地址: 621000 四川省绵*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 恒流 mosfet 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种LED背光驱动电路,尤其是涉及一种恒流MOSFET电路。

背景技术

随着LED技术的发展,目前市场上使用LED作为背光源的液晶模组越来越多,背光驱动电路种类也较多。目前,绝大多数背光驱动电路是通过使用外部PWM信号控制LED灯条电流来实现背光亮度调节,其结构如图1和图2所示,恒流MOSFET电路包括恒流控制芯片和恒流MOSFET,恒流MOSFET可以外置于恒流控制芯片,也可以内置于恒流控制芯片上;背光驱动电路的输出电压U1或U2与LED灯条的正极相连,且与一个电容C1或C2串联接地;恒流MOSFET的栅极和恒流控制芯片相连,所述恒流MOSFET的源极通过一个电阻R1或R2与地相接,恒流MOSFET的漏极与LED灯条的负极相连。

调光过程中,背光驱动电路以一定频率控制恒流MOSFET导通和关断以调节LED灯条的工作电流。当恒流MOSFET关断时,由于电容的存在,提供给LED灯条正极的输出电压几乎保持不变,而LED灯条负极(即恒流MOSFET的漏极)会出现一个漏极电压VD。由于LED灯条的规格不同和恒流MOSFET的源极与漏极间的电阻阻值的不确定性,不同产品中漏极电压VD的值会有较大的变化。由于后级LED灯条恒流驱动电路中的恒流MOSFET仅靠自身的漏极电压VD耐压值保护,如果VD超过了恒流MOSFET漏极能够承受的最大电压,将会造成恒流MOSFET工作隐患而出现损坏,使电路无法正常工作。

稳压二极管的特点是反向通电尚未击穿前,其两端的电压基本保持不变,即稳压值。这样,当把稳压二极管接入电路后,若由于电源电压发生波动,或其他原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种将MOSFET管漏极电压控制在安全范围内的恒流MOSFET电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:恒流MOSFET电路,包括恒流控制芯片和恒流MOSFET,其特征在于,还包括稳压二极管;所述稳压二极管的负极与恒流MOSFET的漏极相连,其正极接地;稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压。

具体的,稳压二极管的稳压值不低于LED灯条正常工作电压值的1/2。

优选的,恒流MOSFET外置于恒流控制芯片。

优选的,恒流MOSFET内置在恒流控制芯片上。

本实用新型的有益效果是:将恒流MOSFET漏极电压控制在安全范围内,保证恒流MOSFET在PWM调光过程中不被击穿损坏,本实用新型的成本低、实施简便、性能可靠,可起到保护内置恒流MOSFET驱动芯片或外置恒流MOSFET的作用。本实用新型适用于LED液晶模组中。

附图说明

图1是现有技术中恒流MOSFET外置时恒流MOSFET电路的结构示意图;

图2是现有技术中恒流MOSFET内置时恒流MOSFET电路的结构示意图;

图3是本实用新型一个实施例的结构示意图;

图4是本实用新型另一个实施例的结构示意图;

其中,R1和R2为电阻,U1和U2为输出电压,C1和C2为电容,ZD1和ZD2为稳压二极管。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

恒流MOSFET电路,包括恒流控制芯片和恒流MOSFET,恒流MOSFET的漏极对地并联一个稳压二极管,稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压。

实施例1

如图3的恒流MOSFET电路,包括恒流控制芯片和恒流MOSFET,恒流MOSFET外置于恒流控制芯片,恒流MOSFET的漏极对地并联一个稳压二极管ZD1;稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压,且不低于LED灯条正常工作电压值的1/2,这样既可以保证电路能够正常工作,又可以对恒流MOSFET电路形成保护。

实施例2

如图4的恒流MOSFET电路,包括恒流控制芯片和恒流MOSFET,恒流MOSFET内置在恒流控制芯片上,恒流MOSFET的漏极对地并联一个稳压二极管ZD2;稳压二极管的稳压值低于恒流MOSFET的最大漏极电压,且不低于LED灯条正常工作电压值的1/2,这样既可以保证电路能够正常工作,又可以对恒流MOSFET电路形成保护。

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