[实用新型]一种新型高品质调试结构的耦合器有效

专利信息
申请号: 201220617860.6 申请日: 2012-11-20
公开(公告)号: CN202888382U 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 刘爱华;陈泽钊 申请(专利权)人: 湖北兴泽科技有限公司
主分类号: H01P5/12 分类号: H01P5/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 444100 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种新型高品质调试结构的耦合器,所述耦合器包括耦合器本体及安装在耦合器本体上的内调试盖板,内调试盖板上开有若干个调试孔。耦合器本体包括主耦合杆、副耦合杆、射频连接器。主耦合杆上安装若干个调试螺钉,与调试盖板上的调试孔位置分布一一对应。本实用新型采用内部调整的方式提高了腔体外观的密封性能,内部调整的方式添加了更多的调试孔位,能够能精确的调试各项指标,如驻波、耦合波动、整体耦合度,避免了传统侧边调试不稳定。
搜索关键词: 一种 新型 品质 调试 结构 耦合器
【主权项】:
一种新型高品质调试结构的耦合器,其特征在于:所述耦合器包括耦合器本体(3)及安装在耦合器本体(3)上的内调试盖板(2),所述内调试盖板(2)上开有若干个调试孔(1)。
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