[实用新型]一种新型高品质调试结构的耦合器有效
| 申请号： | 201220617860.6 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN202888382U | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 刘爱华;陈泽钊 | 申请（专利权）人： | 湖北兴泽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P5/12 | 分类号： | H01P5/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 444100 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 品质 调试 结构 耦合器 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型高品质调试结构的耦合器，其特征在于：所述耦合器包括耦合器本体(3)及安装在耦合器本体(3)上的内调试盖板(2)，所述内调试盖板(2)上开有若干个调试孔(1)。
2.按照权利要求1所述的一种新型高品质调试结构的耦合器，其特征在于：所述耦合器本体(3)包括主耦合杆(4)、副耦合杆(9)、射频连接器(6)。
3.按照权利要求2所述的一种新型高品质调试结构的耦合器，其特征在于：所述主耦合杆(4)上安装若干个调试螺钉(5)。
4.按照权利要求1所述的一种新型高品质调试结构的耦合器，其特征在于：所述调试孔(1)与调试螺钉(5)位置一一对应。
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