[实用新型]一种HIT太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种HIT太阳电池，其特征在于，在p型基底晶体硅片(p c-si)的两面分别沉积本征非晶硅薄膜(i α-si)，在正面本征非晶硅薄膜(i α-si)上沉积n型氢化纳米晶硅薄膜(n nc-si:H)，在背面本征非晶硅薄膜(i α-si)上沉积p型重掺杂氢化纳米晶硅薄膜(p+nc-si:H)，然后在两面分别沉积掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)，丝网印刷正面、背面金属电极，烧结金属使电极金属化。本实用新型的优点是开路电压高，填充因子高，电池的转换效率高，电池的稳定性好。

主权项

一种HIT太阳电池，其特征在于，在p型基底晶体硅片的两面分别沉积本征非晶硅薄膜，在正面本征非晶硅薄膜上沉积n型氢化纳米晶硅薄膜，在背面本征非晶硅薄膜上沉积p型重掺杂氢化纳米晶硅薄膜。