[实用新型]一种HIT太阳电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种HIT太阳电池的结构。 

背景技术

HIT(heterojunction with intrinsic thin-layer)异质结本征薄膜太阳能电池是在晶体硅基底上沉积一层本征非晶硅薄膜，然后在本征非晶硅薄膜上沉积掺杂氢化非晶硅薄膜，由于氢化非晶硅薄膜电导率低、载流子迁移率低、稳定性差等因素，影响了太阳电池的转换效率。本实用新型的目的是为了提高HIT太阳电池的转换效率。 

发明内容

为解决前述提高HIT太阳电池转换效率的问题，本实用新型提供一种HIT太阳电池，其特征在于，在p型基底晶体硅片(p c-si)的两面分别沉积本征非晶硅薄膜(i α-si)，在正面本征非晶硅薄膜(i α-si)上沉积n型氢化纳米晶硅薄膜(n nc-si:H)，在背面本征非晶硅薄膜(i α-si)上沉积p型重掺杂氢化纳米晶硅薄膜(p⁺nc-si:H)，然后在两面分别沉积掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)，丝网印刷正面、背面金属电极，烧结金属使电极金属化。 

本实用新型的优点是用氢化纳米晶硅薄膜取代氢化非晶硅薄膜，因为氢化纳米晶硅薄膜是由嵌于氢化非晶硅的纳米晶体硅组成，与氢化非晶硅薄膜相比，氢化纳米晶硅薄膜具有高电导率、高掺杂效率、高迁移率和低的光吸收系数等重要特性，并且掺杂的氢化纳米晶硅薄膜(nc-Si:H)能够减少发射极的串联电阻，提高填充因子和开路电压，从而提高太阳电池的转换效率。 

附图说明

附图1为本实用新型的层结构示意图。 

附图1标号说明： 

1--是Al金属栅线负电极； 

2--是正面掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)； 

3--是n型氢化纳米晶硅薄膜(n nc-si:H)； 

4--是正面的本征非晶硅薄膜(i α-si)； 

5--是p型基底层晶体硅片(p c-si)； 

6--是背面的本征非晶硅薄膜(i α-si)； 

7--是p型重掺杂氢化纳米晶硅薄膜(p⁺nc-si:H)； 

8--是背面的掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)； 

9--是背面的Al金属栅线正电极。 

具体实施方式

本实用新型按附图1各层结构，它包括从下至上依次分布的Al金属栅线正电极9、背面的掺氟氧化锡透明导电薄膜8、p型重掺杂氢化纳米晶硅薄膜7、背面的本征非晶硅薄膜6、p型基底层晶体硅片5、正面的本征非晶硅薄膜4、n型氢化纳米晶硅薄膜3、正面掺氟氧化锡透明导电薄膜2、Al金属栅线负电极1。本实施例中，沉积正面和背面的本征非晶硅薄膜均采用固相晶化法、化学气相沉积法或物理气相沉积法中的一种，厚度均为2-20nm；沉积n型氢化纳米晶硅薄膜和p型重掺杂氢化纳米晶硅薄膜均采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)，厚度均为2-20nm；沉积正面和背面的掺氟氧化锡透明导电薄膜均采用超声喷雾法、磁控溅射法中的一种，厚度均为50-200nm；正面和背面的金属栅线电极采用丝网印刷工艺对称印制，低温烧结，温度控制在300℃以下。 

以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。