[实用新型]一种恒电流二极管单元结构有效
| 申请号： | 201220547276.8 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN202977427U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘桥 | 申请（专利权）人： | 贵州煜立电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550001 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种恒电流二极管单元结构，在N+e衬底硅片上设有一层N-硅外延层，在N-硅外延层上设有两个P+扩散层和两个用于连接负电极的N+扩散层，该用于连接负电极的N+扩散层的底部与N+e衬底硅片连接，在两个P+扩散层之间的N-硅外延层上设有用于连接正电极的N+扩散层，在N+扩散层上设有正电极，在每个P+扩散层与一个N+扩散层之间都连接有一个采用金属制作的电极作为负电极，在N+e衬底硅片的底面也连接覆盖有一层采用金属制作的电极作为负电极，在N-硅外延层的外表面、P+扩散层的外表面和N+扩散层的外表面上覆盖有一层二氧化硅绝缘层。本实用新型具有低恒定电流启动电压和宽范围电压的恒流及高速的电物理特性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 二极管 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种恒电流二极管单元结构，包括N+e衬底硅片（1），其特征在于：在N+e衬底硅片（1）上设有一层N‑硅外延层（2），在N‑硅外延层（2）上设有两个P+扩散层（3）和两个用于连接负电极的N+扩散层（4），该用于连接负电极的N+扩散层（4）的底部与N+e衬底硅片（1）连接，在两个P+扩散层（3）之间的N‑硅外延层（2）上设有用于连接正电极的N+扩散层（4.1），在用于连接正电极的N+扩散层（4.1）上连接有采用金属制作的电极作为正电极（6），在每个P+扩散层（3）与一个用于连接负电极的N+扩散层（4）之间都连接有一个采用金属制作的电极作为负电极（7），在N+e衬底硅片（1）的底面也连接覆盖有一层采用金属制作的电极作为负电极（7），在N‑硅外延层（2）的外表面、P+扩散层（3）的外表面和N+扩散层（4）的外表面上覆盖有一层二氧化硅绝缘层（5）。
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