[实用新型]一种恒电流二极管单元结构有效
| 申请号： | 201220547276.8 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN202977427U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 刘桥 | 申请（专利权）人： | 贵州煜立电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550001 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电流 二极管 单元 结构 | ||
【权利要求书】：
1. 一种恒电流二极管单元结构，包括N+e衬底硅片（1），其特征在于：在N+e衬底硅片（1）上设有一层N-硅外延层（2），在N-硅外延层（2）上设有两个P+扩散层（3）和两个用于连接负电极的N+扩散层（4），该用于连接负电极的N+扩散层（4）的底部与N+e衬底硅片（1）连接，在两个P+扩散层（3）之间的N-硅外延层（2）上设有用于连接正电极的N+扩散层（4.1），在用于连接正电极的N+扩散层（4.1）上连接有采用金属制作的电极作为正电极（6），在每个P+扩散层（3）与一个用于连接负电极的N+扩散层（4）之间都连接有一个采用金属制作的电极作为负电极（7），在N+e衬底硅片（1）的底面也连接覆盖有一层采用金属制作的电极作为负电极（7），在N-硅外延层（2）的外表面、P+扩散层（3）的外表面和N+扩散层（4）的外表面上覆盖有一层二氧化硅绝缘层（5）。
2.根据权利要求1所述的恒电流二极管单元结构，其特征在于： P+扩散层（3）的厚度（b）以及用于连接正电极的N+扩散层（4.1）的厚度（a）都分别小于N-硅外延层（2）的厚度（B）。
3.根据权利要求2所述的恒电流二极管单元结构，其特征在于：用于连接正电极的N+扩散层（4.1）的厚度（a）为N-硅外延层（2）的厚度（B）的0.01倍～0.2倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州煜立电子科技有限公司，未经贵州煜立电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220547276.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电机保护器的壳体结构
- 下一篇：一种断路器的分励脱扣器
- 同类专利
- 专利分类
