[实用新型]一种四结太阳能电池结构

摘要

本实用新型涉及一种四结太阳能电池结构，包括Ge衬底，其特点是：所述Ge衬底上面依次制有第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层。本实用新型由于采用了与Ge衬底晶格完全匹配的GaInP2/AlxGa1-xAs/GaInAs/Ge各子电池，有效提高了太阳电池的效率；开路电压提高到4V，实现了高电压低电流特性；电池器件与GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池完全兼容，简化了制备工艺，降低了制作成本，在可行性方面非常容易实现。

主权项

一种四结太阳能电池结构，包括Ge衬底，其特征在于：所述Ge衬底上面依次制有第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1‑xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层。