[实用新型]一种四结太阳能电池结构有效
| 申请号： | 201220513098.7 | 申请日： | 2012-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN202855788U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘如彬;高鹏;王帅;张启明;康培;孙强;穆杰 | 申请（专利权）人： | 天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 结构 | ||
1.一种四结太阳能电池结构，包括Ge衬底，其特征在于：所述Ge衬底上面依次制有第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层。
2.根据权利要求1所述的一种四结太阳能电池结构，其特征在于：所述第一结Ge电池的基区为p型Ge衬底、发射区为厚度140-200μm的n型Ge和GalnP2窗口层；所述成核层为厚度10-50nm的GalnP2；所述缓冲层为厚度0.5-3μm的Ga0.99In0.01As；所述第一隧道结为厚度10nm-50nm为n型GalnP2层和p型Al0.3Ga0.7As层；所述第二结GaInAs电池的厚度为1-5μm，自下至上为AlGaAs背场层、Ga0.99In0.01As基区、Ga0.99In0.01As发射区、AlInP2窗口层；所述第二隧道结为厚度10nm-50nm的n型GalnP2层和p型Al0.3Ga0.7As层；所述第三结AlxGa1-xAs电池的厚度为1-5μm，自下至上为AlGaInP背场层、AlxGa1-xAs基区、AlxGa1-xAs发射区和AlInP2窗口层；第三隧道为结厚度10nm-50nm的n型GalnP2层和p型Al0.3Ga0.7As层；所述第四结GaInP2的厚度为500-1000nm，自下至上为AlGaInP背场层、GaInP2基区、GaInP2发射区和AlInP2窗口层；所述GaAs帽层厚度为100-1000nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
