[实用新型]实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构有效
| 申请号： | 201220504000.1 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202772141U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈冠峰;张骁宇;卜慧琴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种实现肖特基二极管的双极集成电路结构，属于半导体技术领域。该实用新型的双极集成电路结构，其具有利用准等平面工艺形成的外延层内的N阱、基区和P-层；并具有通过一次蚀刻形成肖特基接触孔；以及通过蒸发铝形成于肖特基接触孔内的硅化合物肖特基势垒层。从而保证该工艺无需额外的肖特基接触光刻，也无需采用钛、铂和钯等贵金属，同时保持由钛、铂和钯等贵金属形成的肖特基势垒所具有的稳定性和重复性，与通用的双极集成电路生产工艺兼容，且本实用新型的实现肖特基二极管的双极集成电路结构的生产工艺流程简单，生产成本低廉，应用范围也较为广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 肖特基 二极管 功能 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
一种实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构，其特征在于，所述的双极集成电路结构包括：衬底；N埋层和P埋层，分别生成于所述的衬底内；外延层，生成于所述的衬底上；上隔离层和深磷层，分别生成于所述的外延层内；N阱、基区和P‑层，分别生成于所述的外延层内；发射区，生成于所述的深磷层上；肖特基接触孔，通过一次蚀刻形成于所述的基区内；以及硅化合物肖特基势垒层，通过蒸发铝形成于所述的肖特基接触孔内。
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