[实用新型]实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构有效
| 申请号： | 201220504000.1 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN202772141U | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 陈冠峰;张骁宇;卜慧琴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润矽科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 肖特基 二极管 功能 集成电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种实现肖特基二极管功能的双极集成电路结构，其特征在于，所述的双极集成电路结构包括：
衬底；
N埋层和P埋层，分别生成于所述的衬底内；
外延层，生成于所述的衬底上；
上隔离层和深磷层，分别生成于所述的外延层内；
N阱、基区和P-层，分别生成于所述的外延层内；
发射区，生成于所述的深磷层上；
肖特基接触孔，通过一次蚀刻形成于所述的基区内；以及
硅化合物肖特基势垒层，通过蒸发铝形成于所述的肖特基接触孔内。
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