[实用新型]一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力测试的实验装置有效
| 申请号： | 201220431433.9 | 申请日： | 2012-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN202903388U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 秦飞;武伟;安彤;夏国峰;刘程艳;于大全;万里兮 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G01L1/00 | 分类号： | G01L1/00;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力测试的实验装置，属于电子信息技术领域。实验装置主要由压头，实验试样，试样载台和铂金电加热片四部分组成。所述的试样载台上开有一个通孔，且直径要比试样中Cu孔的直径要大。试样载台位于最下部，实验试样在试样载台上，并且实验试样中硅通孔同试样载台中的通孔对中。铂金电加热片共四片，位于实验试样上表面硅通孔的四周。本实用新型的装置进行测试时能够最大程度保持试样的完整性，不对试样进行切割等影响原结构形貌导致残余应力释放等的操作，使得测试结果更加精确，同时残余应力的计算方法简单可靠，可以直观的判断残余应力的正负。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 硅通孔 tsv cu 结构 工艺 残余 应力 测试 实验 装置 | ||
【主权项】：
一种用于“硅通孔”TSV‑Cu结构工艺残余应力测试的实验装置，其特征在于：实验装置主要包括压头（1），实验试样（2），试样载台（3），铂金电加热片（4）四部分；所述的试样载台（3）上开有一个通孔，且直径要比试样（2）中硅通孔的直径要大；试样载台（3）在最下方，实验试样（2）放置在试样载台（3）上并将实验试样（2）中的铜柱同试样载台（3）中的孔洞对中，铂金电加热片（4）共四面位于实验试样（2）中上表面硅通孔的四周；压头（1）位于实验试样（2）中硅通孔的正上方，从上往下对实验试样（2）中的铜柱进行挤压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220431433.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于测试播放器字符同步显示的载体
- 下一篇：一种生活垃圾处理的专用装置
