[实用新型]一种IGBT芯片可变栅内阻有效
| 申请号： | 201220425538.3 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN202871796U | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘江;高明超;赵哿;金锐 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间；所述栅内阻的大小在2-10Ω之间，本实用新型提供的方案使栅内阻灵活可变，应用范围广，改善了现有技术的固定栅电阻值的缺陷。通过改变多晶电阻的拓扑，可实现多晶电阻大小的调整。仅改变一块掩模版，改变多晶的拓扑，调节栅内阻，方便的实现可变栅内阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 可变 内阻 | ||
【主权项】：
一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；其特征在于，所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间。
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