[实用新型]一种IGBT芯片可变栅内阻有效
| 申请号： | 201220425538.3 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN202871796U | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 刘江;高明超;赵哿;金锐 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 可变 内阻 | ||
1.一种IGBT芯片可变栅内阻，所述IGBT芯片包括栅极区，所述栅极区集成IGBT芯片的开关特性；所述栅极区包括栅焊盘区和栅汇流条区；
其特征在于，所述栅内阻串联在所述栅焊盘区和栅汇流条区之间。
2.如权利要求1所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述栅内阻设置在IGBT芯片栅极区，与IGBT芯片的外接电路栅外阻共同构成栅电阻。
3.如权利要求1所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述栅内阻为多晶电阻，分别与IGBT芯片制造时的孔掩模版和金属掩模版连接；所述栅内阻包含在IGBT芯片制造时多晶掩模版中。
4.如权利要求3所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述多晶电阻的大小由多晶的长和宽决定；多晶电阻的大小决定栅内阻的大小。
5.如权利要求1所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述IGBT芯片包括有源区和终端区；所述有源区集成IGBT的电流参数；所述终端区集成IGBT芯片的耐压参数；多晶电阻或作为有源区的栅极结构及终端区的场板结构。
6.如权利要求5所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述有源区包括N-衬底区；N-衬底区表面的栅极氧化层（2），沉积在栅极氧化层（2）上的多晶硅栅极（1）；栅极氧化层与N-衬底区之间的P-阱区（3）；位于P-阱区与栅极氧化层之间的N+区（4）；位于N-衬底区下方的背面注入区（5）；位于注入区下方的集电极（7）及位于栅极氧化层上方的发射极（6）。
7.如权利要求1所述的IGBT芯片可变栅内阻，其特征在于，所述栅内阻的大小由IGBT芯片开通时电流变化率di/dt和关断时的电压变化率dv/dt决定。
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