[实用新型]场控晶体管结构有效
| 申请号： | 201220320010.X | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN202905719U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 卢兆旸;萧光杰;伊藤明 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供了场控晶体管结构。所述场控晶体管结构包括：半导体基板；金属栅极；第一金属部分和第二金属部分；以及具有第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面的多晶硅层，其中，所述多晶硅层设置在所述第一侧面上的所述半导体基板和所述第二侧面上的所述金属栅极之间；并且其中，所述多晶硅层设置在所述第三侧面和第四侧面上的所述第一金属部分和第二金属部分之间。晶体管结构由于不掺杂/轻掺杂的多晶硅层的特性而能够用作FET。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种场控晶体管结构，包括： 半导体基板； 金属栅极； 第一金属部分和第二金属部分；以及 具有第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面的多晶硅层，其特征在于，所述多晶硅层设置在所述第一侧面上的所述半导体基板和所述第二侧面上的所述金属栅极之间；并且 其中，所述多晶硅层设置在所述第三侧面和第四侧面上的所述第一金属部分和第二金属部分之间。
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