[实用新型]场控晶体管结构有效
| 申请号： | 201220320010.X | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN202905719U | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 卢兆旸;萧光杰;伊藤明 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
1.一种场控晶体管结构，包括：
半导体基板；
金属栅极；
第一金属部分和第二金属部分；以及
具有第一侧面、第二侧面、第三侧面和第四侧面的多晶硅层，其特征在于，所述多晶硅层设置在所述第一侧面上的所述半导体基板和所述第二侧面上的所述金属栅极之间；并且
其中，所述多晶硅层设置在所述第三侧面和第四侧面上的所述第一金属部分和第二金属部分之间。
2.根据权利要求1所述的场控晶体管结构，进一步包括设置在所述多晶硅层和所述半导体基板之间的薄金属层，其特征在于，所述薄金属层将所述第一金属部分和第二金属部分彼此电耦接。
3.根据权利要求1所述的场控晶体管结构，其特征在于，进一步包括设置在所述金属栅极和所述多晶硅层之间的层间电介质。
4.根据权利要求1所述的场控晶体管结构，其特征在于，所述多晶硅层是轻掺杂的。
5.根据权利要求1所述的场控晶体管结构，其特征在于，所述多晶硅层是本征半导体。
6.根据权利要求2所述的场控晶体管结构，其特征在于，进一步包括设置于所述金属层和所述半导体基板之间的介电层。
7.根据权利要求6所述的场控晶体管结构，其特征在于，进一步包括设置于所述介电层和所述半导体基板之间的浅沟槽隔离层。
8.根据权利要求1所述的场控晶体管结构，其特征在于，当对所述金属栅极施加栅极电压时，在多晶硅层中形成导电通道，从而形成具有第一金属部分和第二金属部分的场效应晶体管，所述第一金属部分和第二金属部分分别用作所述场效应晶体管的源极和漏极。
9.根据权利要求2所述的场控晶体管结构，其特征在于，所述薄金属层随着对所述第一金属部分和第二金属部分施加高电流而改变阻抗，从而形成一次可编程存储器。
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