[实用新型]一种倒装晶片的LED结构有效
| 申请号： | 201220316184.9 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN202721194U | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 江淳民;胡启胜;马洪毅 | 申请（专利权）人： | 深圳市蓝科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 深圳市兴力桥知识产权事务所 44246 | 代理人： | 董洪波;潘士雅 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型一种倒装晶片的LED结构涉及LED的结构；以传统蓝宝石基板（Al2O3）为衬底（14）在衬底上设置CaN缓冲层（13）；CaN缓冲层（13）再依次向外设置N型CaN层（12），N型CaAlN层（9）、N型电极（11），N型CaAlN层（9）向上设置MQW多量子阱层（10），CaInN层（8），CaN层（7），P型CaAlN层（6），P型CaN层（5），电流扩散反光层（4）；在电流扩散反光层(4)上设置AlN层（3），P型电极（1）；在AlN层（3）上设置热沉焊接极（2）；本实用新型省去引线焊接工艺，使高导热的热流通道与电流通道独立，实现了热电分离；从而避免了电热相互影响，电流热量叠加造成晶片热负荷增加，因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 晶片 led 结构 | ||
【主权项】：
一种倒装晶片的LED结构，其特征在于：以传统蓝宝石基板（Al2O3）为衬底（14）在衬底上设置CaN缓冲层（13）；CaN缓冲层（13）再依次向外设置N型CaN层（12），N型CaAlN层（9）、N型电极（11），N型CaAlN层（9）向上设置MQW多量子阱层（10），CaInN层（8），CaN层（7），P型CaAlN层（6），P型CaN层（5），电流扩散反光层（4）；在电流扩散反光层(4)上设置AlN层（3），P型电极（1）；在AlN层（3）上设置热沉焊接极（2）；倒置晶片由上植球（15）与焊接基板(18)上的P型电极焊盘（17）、N型电极焊盘（16）、热流通道焊盘（23）P型电极穿孔沉铜（21）、N型电极穿孔沉铜（19）、热流穿孔沉铜（20）、覆铜线路（22），热流穿孔沉铜（20）连接。
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