[实用新型]一种倒装晶片的LED结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED的结构。 

背景技术

LED作为一种新型发光器件，逐渐为全世界所认识。随着LED在各个领域的大规模应用，特别是照明功率LED的逐步推广，LED晶粒的可靠性越来越受到人们重视，特别是针对免焊线工艺的倒装LED晶片结构与工艺。如发明专利CN 100468796C，LED倒装芯片的制备方法，描述的倒装晶片技术，结构采用热电合一的倒装结构，热流与电流叠加，使晶片的热失效风险加大； 现有的倒装晶片焊接时采用直接将电极与外部热沉或者电路连接，焊接时仅在电极处植球焊接。 

发明内容

本实用新型的目的在于：提供省去引线焊接工艺的一种倒装晶片的LED结构。 

以传统蓝宝石基板（Al₂O₃）为衬底（14）在衬底上设置CaN缓冲层（13）；CaN缓冲层（13）再依次向外设置N型CaN层（12），N型CaAlN层（9）、N型电极（11），N型CaAlN层（9）向上设置MQW多量子阱层（10），CaInN层（8），CaN层（7），P型CaAlN层（6），P型CaN层（5），电流扩散反光层（4）；在电流扩散反光层(4)上设置AlN层（3），P型电极（1）；在AlN层（3）上设置热沉焊接极（2）；倒置晶片由上植球（15）与焊接基板(18)上的P型电极焊盘（17）、N型电极焊盘（16）、热流通道焊盘（23）P型电极穿孔沉铜（21）、N型电极穿孔沉铜（19）、热流穿孔沉铜（20）、覆铜线路（22），热流穿孔沉铜（20）连接。

本实用新型采用倒装结构，省去引线焊接工艺，直接依靠植球工艺加上倒装焊接设备达到可靠焊接。使高导热的热流通道与电流通道独立，实现了热电分离。从而避免了电热相互影响，电流热量叠加造成晶片热负荷增加，因此提高了发光二极管的一致性和可靠性。

附图说明：

附图1是本实用新型LED晶片主视图；

附图2是本实用新型LED晶片俯视图；

附图3是本实用新型倒装LED晶片使用时的主视剖面图。

具体实施方式：

采用MOCVD设备在传统蓝宝石基板（Al₂O₃）为衬底（14），在衬底上生长CaN缓冲层（13），然后依次生长N型CaN（12），N型CaAlN（9），MQW多量子阱层（10），CaInN层（8），CaN层（7），P型CaAlN（6），P型CaN（5），电流扩散反光层（4），AlN层（3），热沉焊接极（2），P型电极（1），N型电极（11）。通过晶片生产工艺完成整个晶片的生产。

在倒装焊接基板（18）上制备线路，P型电极焊盘（17）、N型电极焊盘（16）、热流通道焊盘（23）上植球（15），倒装焊接基板采用穿孔工艺，将P型电极穿孔沉铜（21），N型电极穿孔沉铜（19），热流穿孔沉铜（20）引出到基板背面的覆铜线路（22），热流通过（20）导出，外部供电通过N型电极穿孔沉铜（19）、P型电极穿孔沉铜（21）引入。