[实用新型]一种氮化物LED结构有效
| 申请号： | 201220260686.4 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN202977517U | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 薛进营;曹凤凯;刘献伟;张宇欣;赵明;杨旅云;王明辉 | 申请（专利权）人： | 上海施科特光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽;曾人泉 |
| 地址： | 201403 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种氮化物LED结构。所述氮化物LED结构，在衬底的一面包括金属反射层、缓冲层、n型层、有源层、p型层、透明导电层、p电极和n电极，蚀刻外延结构至接近露出或露出金属反射层，在金属反射层上制作n电极；所述金属反射层具一定厚度和图形空隙；n电极与金属反射层直接连接或虚接。本实用新型通过有图形空隙的金属反射层来改变光路，提高了出光效率，改善了外延结构的晶体质量；n电极与金属反射层的相连方式改善电流拥堵的现象，减少了LED器件的发热；在制作n电极时不需要再蚀刻大面积的LED器件，在一定程度上增大了LED器件的有效发光面积，改善了其发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 led 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物LED结构，在衬底的一面包括金属反射层、缓冲层、n型层、有源层、p型层、透明导电层、p电极和n电极，在所述p型层上形成透明导电层，在所述透明导电层上制作p电极，其特征在于，蚀刻外延结构直至接近露出或者露出金属反射层，在所述的金属反射层上制作n电极；所述金属反射层为厚250～1500nm、具有图形空隙的结构层；所述n电极与所述金属反射层为直接连接或者虚接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海施科特光电材料有限公司，未经上海施科特光电材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201220260686.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
