[实用新型]一种氮化物LED结构有效

专利信息
申请号: 201220260686.4 申请日: 2012-06-05
公开(公告)号: CN202977517U 公开(公告)日: 2013-06-05
发明(设计)人: 薛进营;曹凤凯;刘献伟;张宇欣;赵明;杨旅云;王明辉 申请(专利权)人: 上海施科特光电材料有限公司
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人: 翟羽;曾人泉
地址: 201403 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 氮化物 led 结构
【权利要求书】:

1.一种氮化物LED结构,在衬底的一面包括金属反射层、缓冲层、n型层、有源层、p型层、透明导电层、p电极和n电极,在所述p型层上形成透明导电层,在所述透明导电层上制作p电极,其特征在于,蚀刻外延结构直至接近露出或者露出金属反射层,在所述的金属反射层上制作n电极;所述金属反射层为厚250~1500nm、具有图形空隙的结构层;所述n电极与所述金属反射层为直接连接或者虚接。

2.根据权利要求1所述的一种氮化物LED结构,其特征在于,所述金属反射层的图形空隙包括圆形、条形、正方形、长方形或六边形。

3.根据权利要求1所述的一种氮化物LED结构,其特征在于,所述n电极与所述金属反射层的虚接为:所述n电极通过非常薄的缓冲层与所述的金属反射层连接。

4.根据权利要求1所述的一种氮化物LED结构,其特征在于,所述的衬底为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、硅材料的一种。

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