[实用新型]一种用于拉制6寸区熔单晶硅加热线圈有效
| 申请号： | 201220235943.9 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN202658263U | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 刘剑 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 332000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于拉制6寸区熔单晶硅加热线圈，包括线圈盘体，此线圈盘体与外侧线圈法兰盘相接，所述线圈盘体外围环绕设置环形线圈水路，位于线圈水路里侧设置线圈台阶，线圈盘体外径设置为150mm-270mm。本实用新型有益效果为：产品单匝加热线圈内径小，可形成腰细、距离短的熔区，使之更稳定；在生产中加热后产生磁场应力，和炉内生长条件形成一个非动态平衡条件，从而有利于循环生产；尤其对于大直径单晶生长可提高成功率，利于降低功耗的损失，提高了功率利用率；可依据不同直径的原料采用不同的线圈来改变生长时产生的磁场，对于原料化料的形状和旋转的角度改变较为理想；有利于多晶原料消除硅刺的现象，成晶更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 拉制 寸区熔 单晶硅 加热 线圈 | ||
【主权项】：
一种用于拉制6寸区熔单晶硅加热线圈，包括线圈盘体(5)，此线圈盘体(5)与外侧线圈法兰盘(1)相接，其特征在于：所述线圈盘体(5)外围环绕设置环形线圈水路(4)，位于线圈水路(4)里侧设置线圈台阶(3)，。
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