[实用新型]晶圆与晶圆、晶圆与芯片、芯片与芯片键合的结构有效
| 申请号： | 201220228637.2 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN202855741U | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 王志玮;毛剑宏;张镭;唐德明 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶圆与晶圆、晶圆与芯片、芯片与芯片键合的结构。该结构包括制备包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压点的第二电介质层，所述半导体压点和所述第二电介质层位于所述第二衬底的上表面；所述金属压点和所述半导体压点相互对齐并接触键合，所述第一电介质层和所述第二电介质层相互对齐并接触键合。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种晶圆与晶圆键合的结构，其特征在于，包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压点的第二电介质层，所述半导体压点和所述第二电介质层位于所述第二衬底的上表面；所述金属压点和所述半导体压点相互对齐并接触键合，所述第一电介质层和所述第二电介质层相互对齐并接触键合。
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