[实用新型]晶圆与晶圆、晶圆与芯片、芯片与芯片键合的结构

权利要求书

1.一种晶圆与晶圆键合的结构，其特征在于，包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压点的第二电介质层，所述半导体压点和所述第二电介质层位于所述第二衬底的上表面；所述金属压点和所述半导体压点相互对齐并接触键合，所述第一电介质层和所述第二电介质层相互对齐并接触键合。

2.一种晶圆与芯片键合的结构，其特征在于，包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压点的第二电介质层，所述半导体压点和所述第二电介质层位于所述第二衬底的上表面；所述金属压点和所述半导体压点相互对齐并接触键合，所述第一电介质层和所述第二电介质层相互对齐并接触键合。

3.一种芯片与芯片键合的结构，其特征在于，包括多个金属压点的第一衬底和靠近所述金属压点的第一电介质层，所述金属压点和所述第一电介质层位于所述第一衬底的上表面；包括多个半导体压点的第二衬底和靠近所述半导体压点的第二电介质层，所述半导体压点和所述第二电介质层位于所述第二衬底的上表面；所述金属压点和所述半导体压点相互对齐并接触键合，所述第一电介质层和所述第二电介质层相互对齐并接触键合。

4.根据权利要求1至3任一项所述的结构，其特征在于，键合界面处是无缝键合。

5.根据权利要求1至3任一项所述的结构，其特征在于，所述金属压点的尺寸小于所述半导体压点的尺寸，所述半导体压点完全覆盖所述金属压点，且在覆盖所述金属压点之外的半导体压点与所述第一电介质层接触键合。

6.根据权利要求1至3任一项所述的结构，其特征在于，所述晶圆或芯片中至少含有一个PN结。

7.根据权利要求1至3任一项所述的结构，其特征在于，所述金属压点的上表面与所述第一电介质层的表面齐平或低陷于所述第一电介质层的表面；所述半导体压点的上表面与所述第二电介质层的表面齐平或低陷于所述第二电介质层的表面。

8.根据权利要求1至3任一项所述的结构，其特征在于，所述金属压点的上表面突出于所述第一电介质层的表面，所述半导体压点位于所述第二电介质层的凹槽中，所述半导体压点的上表面低陷于所述第二电介质层的表面；或所述半导体压点的上表面突出于所述第二电介质层的表面，所述金属压点位于所述第一电介质层的凹槽中，所述金属压点的上表面低陷于所述第一电介质层的表面。