[实用新型]一种低老化率超宽温恒温晶振有效
申请号: | 201220220357.7 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN202759412U | 公开(公告)日: | 2013-02-27 |
发明(设计)人: | 单涨国 | 申请(专利权)人: | 西安晶盛电子科技有限公司 |
主分类号: | H03B5/04 | 分类号: | H03B5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710075 陕西省西安市紫*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种低老化率超宽温恒温晶振,其特征在于,包括晶体振荡器电路、恒温控制器电路和相关结构零部件。所述的晶体振荡器电路由振荡电路、幅度放大电路、波形变换电路三部分依次串接组成。所述的恒温控制器电路由热敏直流电桥、运算放大电路、功率放大电路三部分依次串接组成。所述的相关结构零部件由两块印制板(主板和副板)、一块紫铜导热板、一套保温层和一套金属外壳构成。低老化率超宽温恒温晶振的体积为30×30×15(mm),典型频率为40MHz,老化率为10-10/日,频率稳定度为10-12/s,频率温度稳定度为10-9/-55℃-+85℃。 | ||
搜索关键词: | 一种 老化 率超宽温 恒温 | ||
【主权项】:
一种低老化率超宽温恒温晶振,其特征在于,包括晶体振荡器电路,所述的晶体振荡器电路由振荡电路、幅度放大电路、波形变换电路三部分依次串接组成;还包括恒温控制电路,所述的恒温控制器电路由热敏直流电桥、运算放大电路和功率放大电路组成。
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