[实用新型]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201220174449.6 申请日: 2012-04-23
公开(公告)号: CN202796963U 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 罗希特·迪克西特;M·L·莱因海默;迈克尔·D.·格林哈根;约瑟夫·A.·叶季纳科;T·彼得森;里图·苏迪希;丹·金策;克里斯托弗·L.·雷克塞尔;弗雷德·塞西诺 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 215021 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 除其它内容之外,本文讨论了一种半导体器件,其包括:半导体区,该半导体区包括栅结构和至少一部分与所述栅结构横向偏离的源区;连接到源区的第一金属层;以及连接到栅结构的第二金属层,其中,所述第一金属层和所述第二金属层的至少一部分纵向重叠。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体区,其包括:栅结构;以及源区,其中,所述源区的至少一部分与所述栅结构横向偏离;第一金属层,其连接到所述源区;以及第二金属层,其连接到所述栅结构;其中,所述第一金属层和所述第二金属层的至少一部分纵向重叠。
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